什么是等離子CVD設備？

等離子體CVD裝置是進行化學氣相沉積法的一種的裝置。

等離子體CVD是Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition的縮寫，它將原料氣體轉變成低溫等離子體狀態(tài)（正離子和電子電離的輝光放電），產生活性離子和自由基，引起化學反應并沉積材料以形成薄膜。

等離子CVD設備的應用

等離子CVD技術用于制造切削工具用強化膜（氮化鈦、氮化碳、DLC（英文：Diamond Like Carbon））、半導體用絕緣膜、保護膜、布線及電極材料（氮化硅、氧化硅、銅、鋁、鎢、多晶硅、化合物半導體等）。它在控制和供應能源的高性能功率器件中的應用正在迅速擴大，這是經濟和工業(yè)發(fā)展的關鍵。

供給等離子體CVD裝置的氣體通常為與SiH 6)、WF硅烷(4氫氣、氮氣、氬氣、氨等載氣。

1. 氧化物

二氧化硅(SiO 2 )是硅的氧化物。它具有優(yōu)異的電絕緣性和熱穩(wěn)定性，用于半導體器件的層間介電膜。

隨著半導體變得越來越薄，漏電流（即電流從非預期位置泄漏）變得更有可能發(fā)生。 SiO 2的存在有助于防止漏電流。

2. 氮化物

氮化硅(Si 3 N 4 )是硅的氮化物。它具有優(yōu)異的強度和導熱性，用作產生大量熱量的功率器件的基板材料。

氮氣和氨氣與SiH 4一起形成氮化物，因此也可作為原料氣體。一般半導體執(zhí)行與計算和存儲相關的功能，例如存儲器。另一方面，功率器件（例如二極管）的用途是。

3、硬質合金

碳化硅 (SiC) 是一種碳化硅，與 GaN（氮化鎵）和 AlGaN一樣屬于化合物半導體家族。與Si 3 N 4一樣，它具有優(yōu)異的強度和導熱性，因此代替Si IGBT用于功率器件。

與硅化合物相比，功率損耗更低，從而使設備更小。

4. 金屬/金屬化合物

晶體管的柵極由柵極氧化物（通過熱氧化形成）和柵電極（通常是多晶硅）形成。用于柵電極和源極/漏極接觸的鎢塞通過等離子體CVD形成。 （見圖3）

等離子CVD設備原理

圖1. 等離子體CVD設備的基本配置

根據(jù)目的，原料氣體條件可以在10 -4 ～100Pa的大范圍的減壓范圍內進行選擇。等離子體激發(fā)常用的電源頻率是13.56 MHz（RF：射頻），放電形式采用平行板電極電容耦合，如圖1所示。

平行板的一側可以用作噴頭來供應工藝氣體，或者可以在一側安裝加熱器來調節(jié)溫度?？梢钥刂频膮?shù)有很多，例如電源頻率、平行板型以外的電極結構、原料氣體成分、放電量、溫度等。因此，可以形成具有各種功能的各種薄膜，從無機物到有機物。

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