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愛安德介紹什么是CMP設(shè)備?

更新時(shí)間:2024-08-30      瀏覽次數(shù):153

愛安德介紹什么是CMP設(shè)備?

CMP設(shè)備是對(duì)硅片進(jìn)行拋光的設(shè)備。 CMP 代表化學(xué)機(jī)械拋光。半導(dǎo)體的制造規(guī)模非常小,因此需要均勻且高精度的拋光,此外,它們具有許多不同硬度的層,每層都需要使用適當(dāng)?shù)膲毫Α?/span>磨料

CMP設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造工藝。它用于半導(dǎo)體工藝中,以平整因蝕刻、氧化膜生成、離子擴(kuò)散等引起的表面凹凸。 CMP 提供非常精確的平坦化,并有利于在平坦化表面上進(jìn)一步分層。選擇CMP設(shè)備時(shí),需要考慮平坦化的精度、所使用的化學(xué)品和化學(xué)品以及硅片的加工速度。

我們將解釋CMP設(shè)備的工作原理。 CMP設(shè)備通常一次高速加工許多硅片,因此通常是大型設(shè)備。其組成部分包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)、施加化學(xué)物質(zhì)的噴嘴和砂紙拋光部分等。此外,還有用于傳送硅片的機(jī)器人、拋光后的清潔部分和檢測(cè)部分等。

基本操作是從噴嘴將化學(xué)溶液或化學(xué)品噴射到硅片上,將砂紙等壓在硅片上,并通過高速旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)行拋光?;瘜W(xué)拋光目標(biāo)包括氧化膜、鎢布線和銅布線。在氧化膜的情況下,將氧化膜溶解在堿性溶液中并用相同組成的氧化硅進(jìn)行拋光。對(duì)于鎢布線來(lái)說(shuō),表面經(jīng)過氧化,表面用氧化硅拋光。對(duì)于銅布線,將氧化后,制成復(fù)合物,并用氧化硅進(jìn)行拋光。


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