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PRODUCT CATEGORY愛(ài)安德分享半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用
半導(dǎo)體曝光裝置用于包含MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)、FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等半導(dǎo)體元件的IC(集成電路)的制造工序中的曝光工序。
在IC制造過(guò)程中,在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán),并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過(guò)程中,半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此,它已經(jīng) .例如,在n型MOS(NMOS)的情況下,在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬,并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型(n+型)MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1~抗蝕劑剝離工序S6)。
其中,曝光工序(S3)使用半導(dǎo)體曝光裝置來(lái)進(jìn)行。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的精度,使用不同的曝光設(shè)備波長(zhǎng)。
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