欧美一区二区三区爱爱,日本成人中文字幕,日韩精品黄色三级片,丰满人妻熟妇乱偷

技術文章/ TECHNICAL ARTICLES

我的位置:首頁  >  技術文章  >  愛安德介紹半導體曝光設備原理

愛安德介紹半導體曝光設備原理

更新時間:2024-09-09      瀏覽次數(shù):95

愛安德介紹半導體曝光設備原理

半導體曝光設備由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和載物臺組成。從光源發(fā)出的紫外光通過聚光透鏡調(diào)整,使其指向同一方向。之后,紫外光穿過作為構(gòu)成電路圖案的一層的原型的光掩模,并通過投影透鏡減少光線,將半導體元件的電路圖案(的一層)轉(zhuǎn)移到半導體元件上。馬蘇。在諸如步進機之類的曝光設備中,在完成一次轉(zhuǎn)移之后,通過平臺移動硅晶片,并將相同的電路圖案轉(zhuǎn)移到硅晶片上的另一位置。通過更換光掩模,可以轉(zhuǎn)印半導體器件的另一層電路圖案。

所使用的光源包括波長為248 nm的KrF準分子激光器、波長為193 nm的ArF準分子激光器以及波長為13 nm的EUV光源。

最新半導體制造工藝的設計規(guī)則(最小加工尺寸)越來越細化至3至5納米左右,因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺都需要納米級的高精度。此外,隨著層壓的進行,進行多次曝光以改變電路圖案并形成單個半導體。



電話:TEL

0755-28282809

地址:ADDRESS

深圳市龍華區(qū)龍華街道景龍社區(qū)華盛瓏悅1棟E座503

掃碼關注我們